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    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。

    • 產(chǎn)品型號(hào):SIR-450
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2025-09-15
    • 訪  問(wèn)  量:1361

    詳細(xì)介紹

    品牌HUACE/北京華測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,電子/電池,汽車及零部件,綜合
    溫度范圍-185℃ ~ 350℃控溫精度0.5℃
    升溫斜率10℃/min(可設(shè)定)電阻1~10^16Ω
    電阻率1×10^3 Ω ~ 1×10^16Ω輸入電壓220V
    樣品尺寸φ<25mm,d<4mm電極材料黃銅或銀;
    夾具輔助材料99氧化鋁陶瓷絕緣材料99氧化鋁陶瓷
    測(cè)試功能高低溫電阻率數(shù)據(jù)傳輸RS-232
    設(shè)備尺寸180 x 210 x 50mm


    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)


    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)


    研究前景:

    環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)是用于半導(dǎo)體封裝的一種熱固性化學(xué)材料,是由環(huán)氧樹(shù)脂為基體樹(shù)脂,以高性能酚醛樹(shù)脂為固化劑,加入硅微粉等為填料,以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料,為后道封裝的主要原材料之一,目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件。環(huán)氧塑封料具有保護(hù)芯片不受外界環(huán)境的影響,抵抗外部溶劑、濕氣、沖擊,保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能。環(huán)氧塑封料對(duì)高功率半導(dǎo)體器件的高溫反向偏壓(HTRB)性能有重要控制作用。


    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品概述:

    高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。關(guān)于環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)高低溫測(cè)試技術(shù),已證明此測(cè)試方式是有效的,同時(shí)加速國(guó)產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無(wú)錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。


    應(yīng)用場(chǎng)景:

    電子元器件:在電子產(chǎn)品中,電容器、電阻器、半導(dǎo)體器件等需要在不同溫度下進(jìn)行試驗(yàn),以評(píng)估其性能和可靠性。例如,鋰電池和太陽(yáng)能電池在高低溫環(huán)境下的表現(xiàn)直接影響其應(yīng)用效果,因此需要進(jìn)行高低溫試驗(yàn);新能源材料:對(duì)于新能源材料如鋰電池和太陽(yáng)能電池,高低溫試驗(yàn)尤為重要。這些材料在惡劣溫度下的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到其實(shí)際應(yīng)用效果和壽命;汽車零部件:汽車零部件需要在不同的氣候條件下進(jìn)行試驗(yàn),以評(píng)估其耐用性和可靠性。車輛在不同氣候條件下會(huì)

    遇到各種惡劣溫度,因此汽車零部件的高低溫試驗(yàn)是確保其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵;半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的電阻率測(cè)試在高低溫條件下進(jìn)行,可以用于測(cè)量硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)等材料的電阻率。這種測(cè)試方法廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中。


    產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)


    1、消除電網(wǎng)諧波對(duì)采集精度的影響

    在超高阻、弱信號(hào)測(cè)量過(guò)程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會(huì)引起測(cè)量誤差。同時(shí)電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備,將對(duì)電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號(hào)的采集,華測(cè)儀器公司推出的抗干擾模塊以及用新測(cè)試分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的測(cè)量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測(cè)試需求。

    2、消除不規(guī)則輸入的自動(dòng)平均值功能,更強(qiáng)數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)


    自動(dòng)平均值是檢測(cè)電流的變化,并自動(dòng)將其進(jìn)行平均化的功能, 在查看測(cè)量結(jié)果的同時(shí)不需要改變?cè)O(shè)置。通過(guò)自動(dòng)排除充電電流的過(guò)渡響應(yīng)時(shí)或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器,是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線,外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計(jì)。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時(shí)的安全性。

    3、采用測(cè)量前等待的方式,讓材料受熱更均勻

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    4、強(qiáng)大的操作軟件

    測(cè)試系統(tǒng)的軟件平臺(tái) Huacepro ,基于labview系統(tǒng)開(kāi)發(fā),符合功能材料的各項(xiàng)測(cè)試需求,具備強(qiáng)大的穩(wěn)定性與操作安全性,并具備斷電資料的保存功能,圖像資料也可保存恢復(fù)。支持新的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

    5、強(qiáng)大的硬件配置

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)


    6、不一樣的加溫方式及更多應(yīng)用場(chǎng)景

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)



    產(chǎn)品參數(shù):

    設(shè)備型號(hào)SIR-450

    溫度范圍-185 ~ 350 °C

    控溫精度0.5 °C

    升溫斜率10°C/min(可設(shè)定)

    電阻1×1016Ω

    電阻率1×103 Ω ~ 1×1016Ω

    輸入電壓220V

    樣品尺寸φ<25mm,d<4mm

    電極材料黃銅或銀;

    夾具輔助材料99氧化鋁陶瓷

    絕緣材料99氧化鋁陶瓷

    測(cè)試功能高低溫電阻率

    數(shù)據(jù)傳輸RS-232

    設(shè)備尺寸180 x 210 x 50mm

    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)







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