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    • 半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統
      半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統

      更新時間:2024-12-17

      型號:

      瀏覽量:1187

      半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統華測儀器通過多年研究開發了一種可實現高的精度溫控,高屏蔽干擾信號的循環熱風加熱方式,在高速加熱及高速冷卻時,具有均勻的溫度分布。 可實現寬域均熱區,高速加熱、高速冷卻 ,加熱箱體整體密封,無氣氛污染。
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    • HC-TSC功率器件有機材料環氧樹脂TSDC測試系統
      HC-TSC功率器件有機材料環氧樹脂TSDC測試系統

      更新時間:2024-12-23

      型號:HC-TSC

      瀏覽量:725

      功率器件有機材料環氧樹脂TSDC測試系統熱刺激去極化電流(TSDC)技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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    • HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC測試系統
      HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC測試系統

      更新時間:2024-12-23

      型號:HC-TSC

      瀏覽量:585

      半導體封裝材料高壓TSDC測試系統熱刺激去極化電流(TSDC)技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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    • 電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統
      電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統

      更新時間:2025-04-10

      型號:

      瀏覽量:175

      電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統可實現從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統由工控機發出指令,單片機控制FPGA發出測量波形,FPGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數據再由單片機回傳工控機進行數據處理。
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    • MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統
      MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統

      更新時間:2025-04-10

      型號:

      瀏覽量:125

      MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統可實現從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統由工控機發出指令,單片機控制FPGA發出測量波形,FPGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數據再由單片機回傳工控機進行數據處理。
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    • 高電場介電、損耗、漏電流測試系統
      高電場介電、損耗、漏電流測試系統

      更新時間:2024-12-30

      型號:

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      高電場介電、損耗、漏電流測試系統可實現從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統由工控機發出指令,單片機控制FPGA發出測量波形,FPGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡。測量的數據再由單片機回傳工控機進行數據處理。
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    • SIR-450半導體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統
      SIR-450半導體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統

      更新時間:2024-12-23

      型號:SIR-450

      瀏覽量:631

      半導體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統高低溫環境下的絕緣電阻測試技術用于預測EMC的HTRB性能。電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環境下。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環境下具有負阻性的特征,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴重,而HTRB性能越差,因此,材料的電阻率是HTRB失效測量的一個關鍵測量手段。
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    • HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統
      HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統

      更新時間:2024-12-23

      型號:HC-TSC

      瀏覽量:549

      半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統熱刺激去極化電流(TSDC)技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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