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    鐵電壓電分析儀,薄膜陶瓷測(cè)試

    簡(jiǎn)要描述:鐵電壓電分析儀,薄膜陶瓷測(cè)試-行業(yè)專用儀器內(nèi)置完整的工控計(jì)算機(jī)主機(jī)、測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等,包括工控計(jì)算機(jī)主板、CPU(i3或以上)、RAM(8G或以上)、固態(tài)硬盤(250G或以上)、網(wǎng)卡、USB接口、VGA接口、預(yù)裝Windows7操作系統(tǒng)、功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試軟件等。

    • 產(chǎn)品型號(hào):Huace FE-3000
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2025-07-24
    • 訪  問  量:2274

    詳細(xì)介紹

    品牌HUACE/北京華測(cè)產(chǎn)地類別國產(chǎn)

    HuaceFE-3000是一款擴(kuò)展性高速型模塊化鐵電壓電分析儀,薄膜陶瓷測(cè)試,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用,可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

    模塊化設(shè)計(jì)的HuaceFE-3000具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。


    FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試;

    MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試;

    RX模塊-弛豫電流測(cè)試;

    DR模塊-自放電測(cè)試。
    鐵電壓電分析儀,薄膜陶瓷測(cè)試測(cè)試基本單元:包括內(nèi)置完整的專用計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等,Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專用測(cè)試軟件等。

    FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能:

    Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率(增強(qiáng)型FE模塊250kHz,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz);

    Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測(cè)試;

    PUND 脈沖測(cè)試;

    Fatigue 疲勞測(cè)試;

    Retention 保持力;

    Imprint 印跡;

    Leakage current漏電流測(cè)試;

    Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。


    FE模塊可選測(cè)試功能:

    C-V curve電容-電壓曲線;

    Piezo Measurement壓電測(cè)試;

    Pyroelectric Measurement熱釋電測(cè)試;

    In-situ Compensation 原位補(bǔ)償;

    DLCC 動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能;

    Impedance Measurement 阻抗測(cè)試


    技術(shù)說明:


    電壓范圍: +/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV);

    電滯頻率:增強(qiáng)型FE模塊250kHz,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz;

    最小脈沖寬度:50ns;

    最小上升時(shí)間:10ns;

    最大疲勞頻率:16MHz;

    電流放大范圍:1pA~1A;

    最大負(fù)荷電容:1nF;

    輸出電流峰值:+/-1 A。



    可擴(kuò)展部件:

      高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS、阻抗分析儀等。

    鐵電壓電分析儀,薄膜陶瓷測(cè)試


    MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的。
    此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試,樣品上的電壓降通過精度高的四點(diǎn)測(cè)試。


    RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的,即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
    該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開,并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。


    DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。

    由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。


    針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用,TF Analyzer 3000提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道,大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。

    以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。
















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