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    高溫四探針測試儀測試電阻率的原理及優(yōu)勢

    更新時間:2024-01-09      點(diǎn)擊次數(shù):1856


    可評估薄膜導(dǎo)電的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設(shè)計原理測量。主要用于評估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電,參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計。重復(fù)性與穩(wěn)定性好,采用雙屏蔽高頻測試線纜,提高測試參數(shù)的精確度,同時。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)研究等用途。

    高溫四探針測試儀的測量原理

    • 測量電阻率的方法很多,如三探針法、電容-電壓法、擴(kuò)展電阻法等,四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法,高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理,同時采用了雙電測組合四探針法。

    • 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率,要求使用等間距的探針,如果針間距離不等或探針有游移,就會造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時,要求計入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正。

    • 采用雙電測組合四探針的出現(xiàn),為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件。

    高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢


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