華測(cè)儀器電壓擊穿試驗(yàn)儀的設(shè)備優(yōu)勢(shì)有哪些？

華測(cè)儀器電壓擊穿試驗(yàn)儀的設(shè)備優(yōu)勢(shì)有哪些？

1、TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)
電壓擊穿試驗(yàn)儀大都采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于電弧放電過程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，。
2、多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù)
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級(jí)循環(huán)采集技術(shù)對(duì)擊穿后的電壓采集將解決此難題。 
3、低通濾波電流監(jiān)測(cè)技術(shù)
高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號(hào)。而無論是國(guó)產(chǎn)與電流采集傳感器，大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號(hào)處理時(shí)，從而造成檢測(cè)不準(zhǔn)確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號(hào)過大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測(cè)開發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。同時(shí)華測(cè)開發(fā)的保護(hù)模塊來保證采集精度與保護(hù)采集元件。
4、雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)
采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器，華測(cè)生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng)，它*的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷高壓技術(shù)，。
5、SPWM電子升壓技術(shù)
目前設(shè)備大都采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)是調(diào)壓器*的。